Oargon florürArF eksimer lazeri, hassas bir 193 nanometre ultraviyole lazer ışını üretmek için ArF gaz karışımının benzersiz özelliklerine dayanır. İşte lazerleme sürecine daha yakından bir bakış:
-
Gaz Deşarjı – ArF gazına yüksek voltajlı elektrik deşarjı uygulanması, serbest elektronlar ve argon iyonları oluşturur.
-
Eksimer Oluşumu – Argon atomları ve flor molekülleri, kısa ömürlü uyarılmış hallerde eksimer molekülleri oluşturmak üzere bağlanır.
-
Uyarılmış Emisyonİyon – Eksimerler hızla serbest atomlara bozunarak fotonlar salar ve bu da daha fazla foton salınımını tetikler.
-
Optik boşluk – Yayılan UV ışığı, arka ayna ile ön aynanın bir kısmı arasında yansıyarak daha fazla ışık yayılımını uyarır.
-
Nanosecond Darbeler – Eksimer reaksiyonunun dengesiz yapısı, darbe süresini nanosecondlerle sınırlarken, tepe güç seviyeleri megawatt düzeyindedir.
-
Işın İletimi – Çıkış ışını, hassas optik bileşenler tarafından hedef yüzey üzerinde odaklanır ve taranır.
Bu işlem sayesinde, argon florür gazındaki geçici eksimer durumu, maksimum hassasiyet gerektiren mikro işleme uygulamaları için yüksek enerjili 193 nm ultraviyole darbeleri verimli bir şekilde üretebilir.
Yayın tarihi: 12 Eylül 2023