Um dos usos mais importantes defluoreto de argônio (ArF)Os lasers de excímero são utilizados na fotolitografia durante a fabricação de circuitos integrados semicondutores. O comprimento de onda de 193 nanômetros do laser ArF permite maior precisão na padronização à medida que os componentes do chip diminuem de tamanho.
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Maior resolução – O comprimento de onda UV mais curto permite que características de circuito menores, de até 45 nanômetros, sejam gravadas em wafers de silício.
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Maior Profundidade de Foco – O comprimento de onda ArF também proporciona margens de profundidade de foco maiores para padrões 3D complexos.
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Gravação mais rápida – A luz de 193 nm é fortemente absorvida pelos fotorresistores, resultando em taxas de gravação por ablação mais eficientes.
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Aquecimento mínimo – Os baixos efeitos térmicos da ablação pulsada por ArF evitam danos às camadas de fotorresistente.
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Contaminação reduzida – Ao contrário de comprimentos de onda mais longos, a luz de 193 nm não produz contaminantes no ar durante a gravação.
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Controle de laser mais preciso – Sistemas avançados de direcionamento do feixe guiam a luz laser ArF para máxima precisão de processamento.
Com o aprimoramento do laser de excímero, o meio de fluoreto de argônio ajudou a viabilizar a revolução dos microchips, permitindo a padronização de silício em escala nanométrica e além.
Data da publicação: 12/09/2023